硅片和钼片焊接的方法
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本发明公开了一种半导体器件中硅片和钼片焊接的方法,所述方法包括以下步骤:a.在钼片上设置第一银层;b.在硅片的阳极上设置第二银层;c.将第三银层设置于第一银层和第二银层之间;d.通过第一银层、第二银层和第三银层的焊接,从而将硅片与钼片焊接在一起。该方法工艺简单,成品率高,焊接强度高、焊接层空洞率低,变形量小,可大大的提高产品的性能。本发明还涉及上述方法制得的硅片/钼片焊接产品的应用。
应该理解到的是:上述实施例只是对本发明的说明,任何不超出本发明实质精神范围内的发明创造,均落入本发明的保护范围之内。
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