硅电力电子器件钼片镀镍方法
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本发明涉及一种硅电力电子器件钼片镀镇方法,其特征是:所述钼片放入滚筒内一起浸入 镀液中滚镀,镀液中含硫酸镍250g/L、氯化镇 50g/L、硼酸45g/L和硫酸镁20g/L ;镀液温度 40-55 °C, pH值为8-9,滚筒转速10-15转/分, 电镀电源阳极与电镀的金属镍板连接,阳极电流 80-90A,阴极引入滚筒内与钼片接触,电镀时间 40-60分钟;钼片一次镀镍后倒出滚筒用清水清 洗干净,然后烘干按常规放进通氢炉合金,退火后按上述方法重复进行第二次镀镍,再倒出钼片清 洗、烘干完成。所述钼片镀镍层厚度易控制,且操作方便,镀液可重复使用。
1. 一种硅电力电子器件钥片镀镍方法,其特征是:所述钥片放入滚筒内一起浸入镀液中滚镀,镀液中含硫酸镍250g/L、氯化镍50g/L、硼酸45g/L和硫酸镁20g/L ;镀液温度为 40-55°C, PH值为8-9,滚筒转速10-15转/分,电镀电源阳极与电镀的金属镍板连接,阳极 电流80-90A,阴极引入滚筒内与钥片接触,电镀时间40-60分钟;钥片一次镀镍后倒出滚筒用清水清洗干净,然后烘干按常规放进通氢炉合金,退火后按上述方法重复进行第二次镀 镍,再倒出钼片清洗、烘干完成。
2.根据权利要求1所述的一种硅电力电子器件钥片镀镍方法,其特征是:所述滚筒正 反两方向轮流转动。
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