罗姆开发出世界首次实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装
日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出耐压高达1200V的第2代SiC(Silicon carbide：碳化硅)MOSFET“SCH2080KE”。此产品损耗低，可靠性高，在各种应用中非常有助于设备实现更低功耗和小型化。
本产品于世界首次※成功实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装。内部二极管的正向电压(VF)降低70％以上，实现更低损耗的同时还可减少部件个数。
生产基地在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈县)，从6月份开始出售样品，从7月份开始陆续量产。
现在，在1200V级别的逆变器和转变器中一般使用Si-IGBT，但尾电流和外置FRD的恢复导致的功率转换损耗较大，因此，更低损耗、可高频动作的 SiC-MOSFET的开发备受期待。但是，传统的SiC-MOSFET，体二极管通电导致的特性劣化(导通电阻和正向电压的上升/耐性劣化)和栅氧化膜 故障等可靠性方面的课题较多，之前无法实现真正的全面导入。
此次，罗姆通过改善晶体缺陷相关工艺和元件构造，成功地攻克了包括体二极管在内的可靠性方面的所有课题。而且，与传统产品相比，单位面积的导通电阻降低了约30％，实现了芯片尺寸的小型化。
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